NVHL055N60S5F（高壓MOSFET）SUPERFET? V系列 N通道功率 MOSFET 晶體管

相關(guān)概述：

SUPERFET V MOSFET 是 onsemi 的第五代高壓超級結(jié) (SJ) MOSFET 系列。SUPERFET V 具有同類最佳的 FOM（RDS(ON)-QG 和 RDS(ON)-EOSS），不僅能提高重負(fù)載效率，還能提高輕負(fù)載效率。600 V SUPERET V 系列可降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，同時支持 120 V/ns 的極限 MOSFET dVDS/dt 額定值，從而帶來設(shè)計優(yōu)勢。因此，SUPERFET V MOSFET FAST 系列有助于最大限度地提高系統(tǒng)效率和功率密度。

NVHL055N60S5F 規(guī)格參數(shù)：

系列：FRFET?, SUPERFET?

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：45A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：55 毫歐 @ 22.5A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 5.2mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：85.2 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：4603 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：278W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-3

封裝/外殼：TO-247-3

NVHL055N60S5F 產(chǎn)品特性：

超低柵極電荷 (Typ. Qg = 108 nC)

低有效輸出電容 (Typ. Coss(eff.) = 643 pF) Coss(eff.) = 643 pF)

憑借堅固的體二極管實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)性能

650 V @ TJ = 150°C

Typ. RDS(on) = 32.8 m Ω

100% 經(jīng)過雪崩測試

內(nèi)部柵極電阻： 0.6 Ω

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