FF33MR12W1M1HP IGBT模塊（帶CoolSiC? MOSFET）具有非常低的雜散電感和出色的效率，因此頻率更高、功率密度更高、冷卻要求更低。1200V、8mΩ半橋模塊采用集成NTC溫度傳感器和PressFIT觸點(diǎn)技術(shù)。xHP_B11型號(hào)提供熱界面材料。此系列器件具有0至5V和+15V至+18V的推薦柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍、+23V或-10V的最大柵極-源極電壓以及17mΩ或33mΩ的漏極-源極電阻選項(xiàng)。集成式安裝夾確保牢固的安裝。

特性

● 同類最佳封裝，尺寸為62.8mm x 33.8mm x 12mm（LxWxH）

● 將先進(jìn)的WBG材料和簡(jiǎn)易模塊封裝結(jié)合在一起

● 模塊雜散電感非常低

● 寬RBSOA

● 1200V CoolSiC MOSFET，采用增強(qiáng)型第一代溝槽技術(shù)

● 擴(kuò)展的推薦柵極驅(qū)動(dòng)電壓窗口：0至5V和+15V至+18V

● 擴(kuò)展的最大柵極-源極電壓：+23V和-10V

● 漏極-源極導(dǎo)通電阻選項(xiàng)：17mΩ或33mΩ

應(yīng)用

● 高頻開關(guān)應(yīng)用

● 直流/直流轉(zhuǎn)換器

● UPS系統(tǒng)

● 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

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