R7FS128783A01CNG擁有256 KB閃存及24 KB SRAM，為控制應用程序量身定制，使其具備低功耗工作模式及快速喚醒時間。配備用于提高安全性的存儲器保護單元（MPU）、數(shù)字可尋址照明接口（DALI）以及模擬和數(shù)字外設裝備的智能組合。
特性
? Cortex-M0+，32MHz，1.6V至5.5V，440nA（軟件待機模式）、70μA/MHz
? 18通道14位ADC
? 31通道電容觸摸感應單元
? USBFS、CAN
? 符合NIST標準的安全特性：用于加密和HASH算法的硬件加速、真隨機數(shù)生成器、安全密鑰生成和存儲、唯一ID等
? 實時時鐘SRAM奇偶校驗錯誤檢查、ADC診斷、CRC計算器、閃存區(qū)域保護
? 130nm低功耗工藝
? 工作溫度范圍：-40°C至105°C
? GPIO引腳：最多51個
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
TFBGA100
3320
ARM? Cortex?-M7 STM32H7 微控制器 IC 32-位 280MHz 1MB（1M x 8） 閃存 100-TFBGA（8x8）
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瑞薩科技是世界十大半導體芯片供應商之一，在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立，以領先的科技實現(xiàn)人類的夢想。結合了日立與三菱電機在半導體領域上的豐富經(jīng)驗和專業(yè)知識，配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
M38049FFLKP
M38049FFLKP 是一款由瑞薩電子生產的 8 位微控制器，屬于 3804L 系列。
TP65H300G4JSGB
TP65H300G4JSGB是一款 650V 240mΩ 氮化鎵 （GaN） FET 是使用瑞薩電子第四代平臺構建的常閉器件。該晶體管結合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術，提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4JSGB主要規(guī)格如下：晶體管極性：N-Channel通道數(shù)量：1 ChannelVds-漏源極…
TP65H300G4LSGB
TP65H300G4LSGB 650V 240mΩ 氮化鎵 （GaN） FET 是使用瑞薩電子的 Gen IV 平臺構建的常閉器件。TP65H300G4LSGB結合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術，提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4LSGB采用行業(yè)標準的 PQFN88 封裝，具有 Kelvin 源和通用源封裝配置。…
AT25SF2561C-SXUB
AT25SF2561C-SXUB是一款256 Mbit SPI串行閃存，由Renesas生產，支持單/雙/四線I/O、QPI和DTR接口，適用于工業(yè)、消費電子等領域。該器件具有以下特性：通用兼容的引腳排列和命令集標準塊架構支持雙 I/O、四 I/O、QPI 和 XiP 操作高達 133MHz雙倍傳輸速率（DTR）高達 84MHz…
AT25SF2561C-MWUB
AT25SF2561C-MWUB是Renesas推出的256Mbit 3V SPI串行閃存，支持單路、雙路、四路 I/O、QPI 和 DTR操作，適用于工業(yè)、消費類和聯(lián)網(wǎng)應用。其技術參數(shù)如下：安裝風格：SMD/SMT封裝 / 箱體：DFN-8系列：AT25xF2561C存儲容量：256 Mbit電源電壓-最?。?.7 V電源電壓-最大：3.6…
AT25QF2561C-SXUB
AT25QF2561C-SXUB 256Mbit串行外設接口（SPI）NOR閃存器件設計用于各種大容量工業(yè)、消費類和聯(lián)網(wǎng)應用。AT25QF2561C-SXUB可用于將從閃存啟動到嵌入式或外部RAM的程序存儲器存儲，和/或用于直接從閃存執(zhí)行（XiP）中執(zhí)行代碼。為了實現(xiàn)快速執(zhí)行，AT25QF2561C-SXUB支持高達13…電話咨詢：86-755-83294757
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