IMDQ65R007M2H是一款由Infineon公司生產(chǎn)的CoolSiC? 650 V G2碳化硅MOSFET。通過降低能量損耗，IMDQ65R007M2H充分發(fā)揮了碳化硅的性能，從而實(shí)現(xiàn)了更為高效的功率轉(zhuǎn)換。該款CoolSiC 650 V G2 MOSFET廣泛應(yīng)用于各類功率半導(dǎo)體應(yīng)用，包括光伏發(fā)電、能源存儲(chǔ)、電動(dòng)汽車直流充電、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)以及工業(yè)電源系統(tǒng)。

IMDQ65R007M2H 產(chǎn)品屬性

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：196 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：8.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 7 V, + 23 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：5.6 V

Qg-柵極電荷：179 nC

最小工作溫度：- 55 C

最大工作溫度：+ 175 C

Pd-功率耗散：937 W

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時(shí)間：20 ns

濕度敏感性：Yes

封裝/箱體：HDSOP-22

產(chǎn)品：SiC MOSFETS

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

上升時(shí)間：41 ns

晶體管類型：1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：53 ns

典型接通延遲時(shí)間：22 ns

• 1.平臺(tái)上看到的庫(kù)存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。

• 6.公司能開發(fā)票嗎？

  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。